ALLIANCE 动态随机存储器
相关结果约3600675条【产品】32M×16bit的高速DDR2 SDRAM内存AS4C32M16D2B, 提供工业款和商用款
AS4C32M16D2B是Alliance公司推出的一款全新产品,其全称为高速CMOS DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该内存产品容量达到512Mb,并配置16位数据宽度的I/O接口,内部结构由4组DRAM构成。这款内存按照工作温度范围可分为商用款(AS4C32M16D2B-25BCN)和工业款(AS4C32M16D2B-25BIN)两种型号。
AS4C256M16D3LC 256M x 16位DDR3L同步DRAM(SDRAM)
该资料介绍了AS4C256M16D3LC汽车级96球FBGA封装的4Gb DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM)的特性。它符合JEDEC标准,支持AEC-Q100规范,具有低电压供电、宽工作温度范围等特点。产品具备高速数据传输能力,适用于多种应用场景。
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广告 发布时间 : 2025-01-06
AS4C512M16D4A-62BAN 512M X 16位DDR4同步DRAM(SDRAM)
本资料介绍了AS4C512M16D4A-62BAN汽车级8Gb DDR4同步动态随机存取存储器(SDRAM)的特性、功能和应用。该产品符合JEDEC标准,具有高速时钟频率、多种电源电压选项、宽工作温度范围等特点,支持双向差分数据选通和差分时钟等功能。
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Alliance Memory AS4C16M16SA-C&I数据手册
该资料为AS4C16M16SA-C&I型同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。内容包括产品概述、特性、关键规格参数、引脚分配图、功能框图、引脚描述、操作模式、命令说明等。
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第三代高速SRAM、SDRAM,数据传输率可达1600Mb
第三代高速双倍数据率同步动态随机存取存储器—AS4C64M16D3-12BAN震撼来袭!
AS4C1G8D4A 1024M X 8位DDR4同步DRAM(SDRAM)
本资料介绍了AS4C1G8D4A 8Gb DDR4同步动态随机存取存储器(SDRAM)的特性、功能和应用。该产品符合JEDEC标准,具有高速时钟频率、多种电源电压选项、工业级和商业级工作温度范围等特点。它支持内部VREFDQ训练、读前缀训练、控制齿轮下降模式等功能,适用于各种高性能计算和通信系统。
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AS4C2M32S 2M x 32位同步DRAM(SDRAM)
该资料详细介绍了AS4C2M32S 2M x 32位同步动态随机存取存储器(SDRAM)的技术规格和应用。文档涵盖了产品特性、操作模式、命令集、引脚说明、绝对最大额定值、推荐直流工作条件、电容参数等内容。
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AS4C128M16D2128M x 16位DDRII同步DRAM(SDRAM)
本资料为AS4C128M16D2型DDR2同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。该芯片采用8银行组织结构,支持高速数据传输率,并符合DDR2 SDRAM的关键特性。资料详细介绍了产品特性、工作原理、初始化流程、模式寄存器和扩展模式寄存器的编程方法、操作命令以及电学特性。
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【产品】8n-位预取架构的DDR4 SDRAM AS4C1G16D4,电源电压1.2V±60mV
Alliance推出的DDR4 SDRAM AS4C1G16D4是一款高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8块动态随机存取存储器;采用8n-预取架构,实现高速运行;8n-预取架构与一个接口相结合,该接口每个时钟周期可在I/O引脚处传输两个数据字。
【产品】8Gb高速DDR3L同步动态随机存取存储器AS4C512M16D3LB, 96-ball FBGA封装
AS4C512M16D3LB是一款由美国Alliance Memory公司推出的高速DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM),其总容量可达8Gb,由8组DRAM内存构成,结构为64Mbit x 16 I/Os x 8组DRAM。对于一般应用,其双倍数据传输速率特性,可使数据传输速率可达到1600Mb/sec/pin。
AS4C256M8D3A-12BCN 256M x 8位DDR3同步DRAM(SDRAM)
本资料为AS4C256M8D3A-12BCN型2Gb DDR3同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。该芯片符合JEDEC标准,支持双倍数据速率操作,具有高速传输率、低功耗等特点。资料详细介绍了产品的特性、功能、工作模式、寄存器定义、命令描述和设备操作等内容。
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4GB DDR4 AS4C512M8D4A-78球FBGA封装
本资料介绍了AS4C512M8D4A型号的4Gb DDR4同步动态随机存取存储器(SDRAM)的特性、功能和应用。该产品符合JEDEC标准,具有高速率、低功耗等特点,适用于工业和商业用途。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>